Theoretical Analysis of AlxGa1-xAs/GaAs Graded Band Gap Solar Cell

A. Alshekhli, Belal

	Theoretical Analysis of AlxGa1-xAs/GaAs Graded Band Gap Solar Cell
Journal of Al-Nahrain University - Science
Article 1, Volume 14, Issue 3, 2011, Pages 66-72
Author
Belal A. Alshekhli
Abstract
The graded band gap AlxGa1-xAs/GaAs solar cell model has been proposed. This model consists of graded compositions material in the surface layer extending from y=0 to y=D, and uniform band gap from y=D to y=L. The model simulates the absorption, generation, current density, spectral response and the solar efficiency generated from the solar spectrum. These photovoltaic parameters have been calculated by a GRAD computer program. Electric field, mobility and diffusion length of holes gradient are assumed constant in the model to get an analytical solutions. The photovoltaic parameters, obtained from the model, are Jsc =33 mA/cm2, Voc= .91 V, FF= .87 and η= 31 %. The conversion efficiency is considered high as compared with other similar models. تم اقتراح نموذج للخلية الشمسية المتعددة الفجوات AlxGa1-xAs/GaAs . هذا النموذج يتكون من مادة متدرجة التركيب على السطح من y=0 إلى y=D.هذا النموذج يماثل الامتصاص والتوليد، كثافة التيار، الاستجابة للطيف والكفاءة الشمسية المتولدة من الطيف الشمسي.تم حساب عوامل الكهروضوئية بواسطة تصميم برنامج حاسوب GRAD. اعتبار المجال الكهربائي، الحركية وطول الانتشار ثوابت في هذا النموذج للوصول إلى حل تحليلي.العوامل الكهروضوئية التي تم الحصول عليها من هذا الموديل Jsc=33mA/cm2, Voc= .91 V, FF= .87 and η=.31 % .الكفاءة التحويلية تعتبر أعلى بالمقارنة مع نماذج مشابهة.
Keywords
graded band gap; AlxGa; xAs

Statistics Article View: 90 PDF Download: 34