- All Journals
- Al-Qadisiyah University
- Basrah University
- Kirkuk University
- Mosul University
- The Iraqi Borad for Medical Specialization
- University of Anbar
- University of Technology
- Al Mustafa University
- Al-Zahraa University for Women
- Alnoor University
- Kunooz University
- Misan University
- Ninevah University
- Tikrit University
- University of Al-Hamdaniya
- University of Kerbala
Electronic Transitions for the Thin Films of ZnO Prepared by Thermal Oxidation Method | ||
| Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science | ||
| Article 1, Volume 24, Issue 3, 2011, Pages 110-121 | ||
| Author | ||
| S. J. Attia | ||
| Abstract | ||
| حّضرت اغشية اوكسيد الزنك ZnO الرقيقة بسمك 0.84 مايكرون بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة بوساطة الصفيحة الساخنة وعند درجة حرارة 350 مئوي بزمن اكسدة خمس دقائق للحصول على افضل اكسدة لاغشية الخارصين المحضرة بهذه الطريقة و بضغط -5 10 تور لمنظومة التبخير والمرسبة على قواعد زجاج عادي Cover Slides. ومن خلال قياس النفاذية والامتصاصية لهذا الغشاء عند مدى 300-900 نانومتر، وجد ان فجوة الطاقة المباشرة لهذا الغشاء بلغت 2.50 الكترون فولت، وان فجوة الطاقة غير المباشرة تبلغ 2.45 الكترون فولت. | ||
|
Statistics Article View: 181 PDF Download: 33 |
||