- All Journals
- Al-Qadisiyah University
- Basrah University
- Kirkuk University
- Mosul University
- The Iraqi Borad for Medical Specialization
- University of Anbar
- University of Technology
- Al Mustafa University
- Al-Zahraa University for Women
- Alnoor University
- Kunooz University
- Misan University
- Ninevah University
- Tikrit University
- University of Al-Hamdaniya
- University of Kerbala
Studying the Effect of Magnetic Filed on the Electrical Properties of Germanium Diode | ||
| College Of Basic Education Research Journal | ||
| Article 11, Volume 4, Issue 2, 2007, Pages 216-225 PDF (0 K) | ||
| Abstract | ||
| تم استخدام ثنائي (P-N) جرمانيوم كمجس لقياس المجالات المغناطيسي. بالاعتماد على خاصية المقاومة المغناطيسية تم تصميم وبناء مضخم تفاضلي لهذا الغرض. يستطيع هذا المضخم التفاضلي قياس التغيرات في الخواص الكهربائية للثنائي. ونظراً لكون هذه التغيرات لا تتصف استجابتها الخطية لتاثير المجالات المغناطيسية فقد تم تتطوير الدائرة بحيث تعطي قياسات تتناسب خطياً مع قيم المجال المغناطيسي.The germanium P-N junction diode is used as a gauss meter probe. Depending on the magneto resistance of the diode a differential amplifier circuit has been designed and built for this purpose. The differential amplifier can detect and measure changes in electrical properties of the diode. Due to the fact that these changes are not linear to magnetic field, the circuit is further modified to produce out put reading that have linear relationships to magnetic field values. | ||
|
Statistics Article View: 372 PDF Download: 246 |
||